CY62167G-45ZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167G-45ZXI

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CY62167G-45ZXI
CY62167G-45ZXI

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V~5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
OPN
CY62167G-45ZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62167G-45ZXIは16-MbitのMoBL SRAMで、1M × 16(または2M × 8)構成、単ビット誤り訂正用ECCを内蔵します。45 nsアクセス、4.5 V~5.5 V動作、-40°C~85°Cに対応。スタンバイ電流は5.5 µA typ(16 µA max)。デュアルチップイネーブル、TTL互換I/O、バイト書込み(BHE/BLE)、48ピンTSOP Iで並列メモリ拡張に適します。

特長

  • 16-Mbit SRAM;1M×16/2M×8
  • ECC内蔵(1ビット訂正)
  • ERR出力で訂正検出を通知
  • 読出しサイクル45 ns/55 ns
  • OE→データ有効22 ns(45ns)
  • 電源1.65–2.2 V/4.5–5.5 V
  • スタンバイ最大16 µA(5 V)
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • BHE/BLE HighでバイトPD
  • 非選択時I/Oは3ステート
  • TTL互換入出力
  • 動作温度–40°C~+85°C

利点

  • ECCでSRAMデータ信頼性向上
  • ERRで故障監視を簡素化
  • 45/55 nsで高速CPUに対応
  • OE 22 nsで待ち時間を短縮
  • 2系統VCCで設計流用が容易
  • 待機最大16 µAで電池長持ち
  • バイト書込みで帯域/電力削減
  • バイトPDでアイドル電流低減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • TTL I/Oで接続が簡単
  • –40°C~+85°Cで過酷環境対応
  • 16-Mbitで外付けメモリ削減
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ