CY15E004Q-SXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15E004Q-SXE

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY15E004Q-SXE
CY15E004Q-SXE
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    16 MHz
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    4 kBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY15E004Q-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 485
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 485
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY15E004Q-SXEは4-Kbit（512×8）車載グレードのシリアルF-RAMで、SPIインターフェース採用、10兆（10¹³）回の高耐久読書きと85°Cで121年のデータ保持を実現します。動作電圧4.5 V～5.5 V、SPIクロック最大16 MHz、AEC-Q100 Grade 1（-40°C～+125°C）認証取得。NoDelay™書き込み、1 MHz時300 μAの低動作電流、85°Cで10 μAのスタンバイにより自動車・産業用途で瞬時かつ信頼性の高いデータ保存が可能。ハード/ソフト両方の書き込み保護と8ピンSOICパッケージで堅牢な統合。

特長

  • 4-Kbit F-RAM、512×8構成
  • 10^13回の読書耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™バス速度書込
  • 最大16 MHzのSPI対応
  • SPIモード0/3サポート
  • HW/SWライトプロテクト
  • 1 MHz時300 μA動作電流
  • 85°Cで10 μA待機電流
  • VDD動作4.5-5.5 V
  • 動作温度-40°C～+125°C
  • 先進強誘電体プロセス

利点

  • 信頼性の高い不揮発性データ保存
  • 書込遅延なしで高速更新
  • 頻繁な高速書込に対応
  • 高温でも長期データ保持
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • 低消費電力で長寿命
  • 幅広い電圧温度で柔軟
  • 多重保護でデータ安全
  • 高速SPIで統合容易
  • ウェアレベリング不要
  • 過酷環境でも安定動作
  • 生涯一貫した性能

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ