Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B201QSN-108SXE

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B201QSN-108SXE
CY15B201QSN-108SXE
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
推奨
OPN
CY15B201QSN-108SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B201QSNは1-Mb（128K × 8）車載用フェロエレクトリックRAM（F-RAM）で、瞬時の非揮発性書き込み、10兆回の耐久性、121年のデータ保持を実現します。1.8 V～3.6 V動作、–40°C～+125°C対応、高速Quad SPIおよびDDRインターフェース（最大108 MHz）をサポート。ECCとCRCによる高いデータ整合性。AEC-Q100 Grade 1およびRoHS準拠で、頻繁かつ信頼性の高いデータ保存が求められる車載・産業用途に最適です。

特長

  • 1-Mb F-RAM、128K × 8構成
  • 10兆回の読書き耐久性
  • 121年データ保持
  • クアッド/デュアル/拡張/シングルSPI対応
  • SPI SDR最大108 MHz、DDR 54 MHz
  • XiPで直接読書き
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • ECC・CRC内蔵でデータ保護
  • ユニークIDとシリアル番号
  • 256バイト特別セクタ
  • 低動作・待機・深度パワーダウン電流
  • 1.8 V～3.6 V電源対応

利点

  • 頻繁な交換不要で長寿命
  • 100年以上データを安全保存
  • 柔軟で高速なSPIインターフェース
  • 高速システムに最適
  • メモリから直接コード実行
  • 誤書きからデータを保護
  • エラー自動検出・訂正
  • 機器識別・管理が容易
  • 特殊セクタはリフロー耐性
  • 全動作モードで省電力
  • 低電圧機器にも対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }