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CY15B004Q-SXAT

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CY15B004Q-SXAT
CY15B004Q-SXAT
代替品
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15B004Q-SXAT
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
CY15B004Q-SXATは4 Kbit（512 × 8）自動車グレードのシリアルF-RAMメモリで、ほぼ無制限の耐久性（1014回の読み書きサイクル）と65°Cで151年のデータ保持を実現します。2.7 V～3.6 Vの動作電圧、–40°C～+85°Cの温度範囲、高速SPI（最大20 MHz、モード0/3）に対応。NoDelay™によるバス速度書き込みと低動作電流（1 MHzで200 μA）により、頻繁な書き込みが必要な自動車・産業用途に最適です。

特長

  • 4 KビットF-RAM、512×8構成
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™リアルタイム書き込み
  • 最大20 MHzのSPIバス
  • 1 MHz時200 μA動作電流
  • 3 μA標準スタンバイ電流
  • 2.7 V～3.6 V電源電圧
  • 多層ハード/ソフト書き込み保護
  • 1/4・1/2・全域ブロック保護
  • 動作温度–40°C～+85°C
  • 20 ns出力データ有効時間

利点

  • 電源断後もデータ信頼性維持
  • 頻繁な書き込みに最適
  • 151年の長期データ保存
  • 書き込み遅延ゼロ
  • 20 MHzで高速データ転送
  • 低消費電力で省エネ
  • スタンバイ電流低減で省電力
  • 標準3 Vシステム対応
  • 強力な保護でデータ損失防止
  • 柔軟なブロック保護で安全性向上
  • 過酷環境下でも動作
  • 高速アクセスで応答性向上

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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