CY15B004Q-SXET
Active and preferred
RoHS対応

CY15B004Q-SXET

パッケージ

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CY15B004Q-SXET
CY15B004Q-SXET

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.7 V～3.65 V
  • 動作電圧 範囲
    3 V～3.6 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B004Q-SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY15B004Q-SXETは4-Kbit（512 × 8）車載用フェロエレクトリックRAM（F-RAM）で、10兆回の読書・書き込み耐久性と85°Cで121年のデータ保持を実現。動作電圧は3.0 V～3.6 V、SPIバスは最大16 MHz対応。ハードウェア・ソフトウェア両方の書き込み保護機能搭載。消費電力は1 MHz動作時200 μA、85°C待機時6 μA。AEC-Q100 Grade 1（-40°C～+125°C）認証取得。頻繁なデータ記録や車載用途に最適。

特長

  • 4 Kbit不揮発性F-RAM、512×8構成
  • 10兆回(10¹³)の読書き耐久性
  • 85°Cで121年のデータ保持
  • NoDelay™書き込み、バス速度対応
  • 最大16 MHzのSPIインターフェース
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 1 MHz時200 μAの低消費電流
  • 85°Cで6 μAのスタンバイ電流
  • 広い電源電圧：3.0 V～3.6 V
  • 動作温度：–40°C～+125°C
  • シリアルフラッシュ/EEPROM代替
  • SPIモード0/3対応

利点

  • 10¹³回後もデータ信頼性維持
  • 書き込み遅延なし即時保存
  • 121年保持でデータ消失防止
  • 16 MHz SPIで高速転送
  • 書き込み保護で安全性向上
  • 200 μA動作で省電力
  • 6 μA待機で電池長持ち
  • –40°C～+125°Cで安定動作
  • フラッシュ/EEPROM設計に容易置換
  • SPI多モードで設計容易
  • 広VDDで電源設計柔軟
  • 頻繁書き込み用途に高耐久
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ