CY14B101Q2A-SXI
Active and preferred
RoHS対応

CY14B101Q2A-SXI

High-Density 1 Mbit SPI nvSRAM with Wide Operating Range and Industrial Qualification
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY14B101Q2A-SXI
CY14B101Q2A-SXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY14B101Q2A-SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066 )
梱包サイズ 970
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066 )
梱包サイズ 970
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14B101Q2A-SXIは、SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを組み合わせた1Mビット (128K×8) のSPI並列nvSRAMで、電源喪失時にもデータを保持します。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、電源オフ時のAutoStoreをサポートし、SPI経由でのソフトウェアによるSTORE/RECALLが可能です。このデバイスは、モード0/3の40 MHz SPI、150 μAのスタンバイ電流、ハードウェアWP書き込み保護、および8バイトのシリアル番号を提供します。

特長

  • 1 MビットnvSRAM (128K × 8構成)
  • QuantumTrap不揮発性素子
  • 電源断時の自動保存 (AutoStore) (一部)
  • SPIによるソフトウェアSTORE/RECALL
  • HSBピン経由のハードウェアSTORE
  • 電源投入時のRECALLによりSRAMを復元
  • SPIクロック: 最大104 MHz
  • SPIモード0およびモード3に対応
  • 8バイト シリアル番号アクセス
  • 製造元IDと製品ID
  • WPピンによる書き込み保護
  • ブロック保護: 1/4、1/2、全体

利点

  • SRAM並みの速度でリード/ライト
  • 停電後もデータを保持
  • AutoStoreは停電時の損失を低減
  • SPI STORE/RECALLによりファームウェアの作業を軽減
  • HSBでイベントトリガーによる保存が可能
  • 電源投入時のRECALL機能により、高速再起動が可能
  • 104 MHz SPIによりデータ転送速度が向上
  • モード0/3は多くのMCUに対応
  • シリアル番号はトレーサビリティに対応
  • デバイスIDにより自動検出設定が可能
  • WP (Write Protect) ピンにより誤書き込みを防止
  • ブロック保護により重要なデータを保護

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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