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BFR193L3
生産終了
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鉛フリー

BFR193L3

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BFR193L3
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製品仕様情報

  • Gmax
    19 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    80 mA
  • NFmin
    1 dB @900 MHz
  • OIP3
    29 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    15 dBm @900 MHz
  • VCEO (最大)
    12 V
  • パッケージ
    TSLP-3-1

OPN
BFR193L3E6327XTMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSLP-3-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSLP-3-1
パッケージ名 -
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
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NPN Silicon RF Transistor

特長

  • For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz
  • For linear broadband amplifiers
  • fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz
  • Pb-free (RoHS compliant) package

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ