新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

2EDF8275F

Fast, robust, dual-channel, functional isolated MOSFET gate drivers with accurate and stable timing
データシート
パッケージ

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2EDF8275F
2EDF8275F
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8 V
  • VBS UVLO (Off)
    7 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side, High-side and low-side, Half Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    37 ns
  • 伝搬遅延オン
    37 ns
  • 入力 Vcc
    3 V to 3.3 V
  • 入力側供給
    20 V
  • 出力電流 (Sink)
    8 A
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 製品名
    2EDF8275F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
OPN
2EDF8275FXUMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
2EDF8275F is perfect for robust and stable operation for primary side control of high- and low-side MOSFETs in noisy high-power switching environments. The strong 4A/8A source/sink dual-channel gate drivers provide a fast turn on/off when driving high- and medium-voltage MOSFETs such as CoolMOS™ or OptiMOS™. Both output channels are individually isolated and can be flexibly deployed as floating gate drivers with very high 150V/ns CMTI.

機能

  • Fast power switching w/ accurate timing
  • Optimized low cost system BOM
  • Robust design against switching noise
  • Output-to-output channel isolation
  • Input-to-output channel isolation

利点

  • Power effic & high res PWM control
  • Protection and safe operation
  • Flex assign't of any driver channel
  • Floating gate drive; regulatory safety

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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