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SPD04P10P G
生産終了
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SPD04P10P G

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P-Channel Power MOSFET -100 V in DPAK package
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SPD04P10P G
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製品仕様情報

  • Ciss
    240 pF
  • Coss
    62 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -4 A
  • IDpuls (最大)
    -16 A
  • Ptot (最大)
    38 W
  • QG (typ @10V)
    9 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1000 mΩ
  • Rth
    3.9 K/W
  • VDS (最大)
    -100 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.28
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
SPD04P10PGBTMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ