SPD04P10PL G
Active and preferred
RoHS対応

SPD04P10PL G

P-Channel Power MOSFET -100 V in DPAK package
データシート
パッケージ

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SPD04P10PL G
SPD04P10PL G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    280 pF
  • Coss
    70 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -4.2 A
  • IDpuls (最大)
    -16.8 A
  • Ptot (最大)
    38 W
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    850 mΩ
  • Rth
    3.9 K/W
  • VDS (最大)
    -100 V
  • VGS(th)
    -1.5 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.27
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
推奨
OPN
SPD04P10PLGATMA1 SPD04P10PLGBTMA1
製品ステータス active and preferred discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK DPAK
梱包サイズ 2500 2500
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1 1
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes No
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ