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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

SIGC109T120R3E

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データシート

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SIGC109T120R3E
SIGC109T120R3E
データシート

製品仕様情報

  • IC max
    100 A
  • VCE(sat) max
    2.1 V
  • VCE max
    1200 V
  • VDS max
    1200 V
  • VGE(th)
    5 V to 6.5 V
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 技術
    IGBT3
OPN
SIGC109T120R3EX1SA6 SIGC109T120R3EX7SA3
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオンパッケージ -- --
パッケージ名 N/A N/A
包装サイズ 1 1
包装形態 WAFER SAWN HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル N/A N/A
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

機能

  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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