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SIGC109T120R3E
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

SIGC109T120R3E

生産終了
データシート

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SIGC109T120R3E
SIGC109T120R3E
データシート

製品仕様情報

  • IC (最大)
    100 A
  • VCE(sat) (最大)
    2.1 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VDS (最大)
    1200 V
  • VGE(th) 範囲
    5 V～6.5 V
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 技術
    IGBT3
OPN
SIGC109T120R3EX1SA6 SIGC109T120R3EX7SA3
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオン パッケージ -- --
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 1 1
梱包形態 WAFER SAWN HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

特長

  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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