S80KS2564GACHB040
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S80KS2564GACHB040

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S80KS2564GACHB040
S80KS2564GACHB040
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS x16
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR)
    - / 200
  • ファミリー
    KS-4
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S80KS2564GACHB040
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
梱包サイズ 260
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
梱包サイズ 260
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S80KS2564GACHB040は256 MbのHYPERRAM自己リフレッシュDRAM（PSRAM）で、1.8 VのHYPERBUS拡張IO x16インターフェースを搭載します。最大200 MHzのDDR動作で最大800 MBps、最大アクセス時間35 nsに対応。動作電圧1.7～2.0 V、–40°C～+105°C（AEC-Q100 Grade 2）。49ボールFBGAで、リニア/ラップドバーストと部分アレイリフレッシュを設定可能です。

特長

  • HYPERBUSIO
  • 16DQ[15:0]
  • DDR
  • 6200 MHz
  • 62800 MBps
  • tACC635 ns
  • VCC/VCCQ61.72.0 V
  • 61.55 b5A
  • 6
  • 6
  • 6(1/81/2)
  • 6

利点

  • x16 DDR
  • 35 ns
  • 1.8 VSoC
  • 800 MBps
  • 6
  • 6
  • b5A
  • 6
  • 6
  • 6
  • RWDS
  • RESET#

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ