S80KS2564GACHA043
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S80KS2564GACHA043

データシート
パッケージ

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S80KS2564GACHA043
S80KS2564GACHA043
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS x16
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • ファミリー
    KS-4
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S80KS2564GACHA043
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S80KS2564GACHA043は外付けシステムメモリ向け256 Mb HYPERRAM™自己リフレッシュDRAM（PSRAM）で、1.7 V～2.0 VのHYPERBUS™ extended-IO x16 DDR（RWDS、RESET#）を搭載します。最大200 MHz、最大アクセス35 ns、最大800 MBpsに加え、リニア/ラップドバーストを設定可能。車載AEC-Q100 Grade 3/2とHybrid Sleep/Deep Power Down対応。

特長

  • HYPERBUSIO
  • 16DQ[15:0]
  • DDR
  • 6200 MHz
  • 62800 MBps
  • tACC635 ns
  • VCC/VCCQ61.72.0 V
  • 61.55 b5A
  • 6
  • 6
  • 6(1/81/2)
  • 6

利点

  • x16 DDR
  • 35 ns
  • 1.8 VSoC
  • 800 MBps
  • 6
  • 6
  • b5A
  • 6
  • 6
  • 6
  • RWDS
  • RESET#

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ