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RoHS準拠
鉛フリー

S79FL01GSDSBHBC13

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S79FL01GSDSBHBC13
S79FL01GSDSBHBC13
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Dual-Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S79FL01GSDSBHBC13
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S79FL01GSDSBHBC13は1 Gb（128 MB）Dual-Quad SPI NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャにより高速なプログラム・消去を実現。8ビット幅Dual-Quad I/O対応、DDR Quad SPIで最大160 MB/sの読み出しと3 MB/sのプログラム速度。2.7 V～3.6 V動作、10万回書き換え、20年データ保持、高度なセキュリティ機能搭載。AEC-Q100認証取得で–40°C～+105°Cの車載や組み込み用途に最適。

機能

  • 1 Gb (128 MB)容量
  • デュアルクワッドSPIインターフェース
  • 104 MHzクワッド読出し、160 MB/s DDR読出し
  • 1024バイトページプログラムバッファ
  • 内部ECCによる1ビット誤り訂正
  • 10万回書き換え耐久性
  • 20年データ保持
  • 2048バイトOTP領域
  • ブロック・高度セクタ保護
  • 2.7 V～3.6 Vコア電圧
  • 工業温度範囲（–40°C～+85°C）
  • 入力信号許容VCC+2.0 V, –2.0 V

利点

  • 大容量で多くのデータ保存
  • デュアルクワッドSPIで高速転送
  • 160 MB/s読出しで高速起動
  • 大バッファでプログラム高速化
  • ECCで信頼性向上
  • 高耐久で保守負担軽減
  • 長期保持でデータ安全
  • OTPでセキュア認証
  • 柔軟な保護でデータ安全
  • 広電圧で設計容易
  • 工業温度で過酷環境対応
  • 許容範囲で信号強化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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