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S29CD016J0PQFM110
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S29CD016J0PQFM110

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S29CD016J0PQFM110
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製品仕様情報

  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel Burst
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    66 / -
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    CD-J
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 初期アクセス時間
    54 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.5 V～2.75 V
  • 動作電圧
    2.5 V
  • 認定
    Automotive

OPN
S29CD016J0PQFM110
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-MQFP-80
パッケージ名 PQFP-80 (002-25073)
梱包サイズ 660
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-MQFP-80
パッケージ名 PQFP-80 (002-25073)
梱包サイズ 660
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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S29CD016J0PQFM110は16 Mbit、2.6 Vバーストモードフラッシュメモリで、自動車や産業用組込みシステム向けです。2バンクでゼロレイテンシの同時読書き、最大66 MHz動作、x32データバス対応。高度なセクタ保護、デュアルブート構成、256バイトSecured Silicon領域でデータセキュリティを強化。動作電圧は2.5 V～2.75 V、VIOは1.65 V～2.75 V、温度範囲-40°C～125°C。典型的な書き込み・消去時間は18 µsと1.0 s、データ保持20年。

特長

  • ゼロレイテンシ同時読書/書込
  • 32ビットデータバス構成
  • プログラマブルバースト(2/4/8ダブルワード)
  • Versatile I/O制御(1.65 V～3.6 V)
  • 高度なセクタ保護：永続・動的・パスワード
  • ハードウェア書込保護ピン(WP#)
  • 低消費電力スタンバイ(60 µA)
  • 自動スリープモードで省電力
  • データポーリングとReady/Busy#出力
  • 20年データ保持(標準)
  • 100万回/セクタ書換(標準)
  • JEDEC(JC42.4)コマンド互換

利点

  • 高速なコード実行と更新を実現
  • データ集約用途で高スループット
  • 柔軟なバーストで性能最適化
  • 幅広いシステム電圧に対応
  • 多様な保護でデータ安全性向上
  • 誤消去・書込を防止
  • 待機時の消費電力を最小化
  • アイドル時に省エネ
  • 簡単な状態監視で信頼性向上
  • 長期データ信頼性を確保
  • 頻繁な書換にも高耐久
  • 標準コントローラと容易に統合

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ