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RoHS準拠

S29GL064S80BHB040

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S29GL064S80BHB040
S29GL064S80BHB040
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    80 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S29GL064S80BHB040
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
包装サイズ 3380
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
包装サイズ 3380
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL064S80BHB040は、65 nm MIRRORBIT™技術を採用した64 Mb（8 MB）パラレルNORフラッシュメモリで、3.0 V単一電源での読み出し・書き込み・消去に対応。16ビットまたは選択可能な8ビットデータバス、80 nsアクセス時間、永続・パスワード方式のセクタ保護を備えます。各セクタ10万回の消去サイクル、20年のデータ保持、AEC-Q100 Grade 2（–40°C～+105°C）認証取得で車載・産業用途に最適です。

機能

  • 3.0 V単一電源動作
  • 65 nm MIRRORBIT™プロセス
  • 16ビット/8・16ビットバス
  • 70 nsアクセス, 15 nsページ読出
  • 8ワード/16バイトページバッファ
  • 128ワード/256バイト書込バッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • 高度なセクタ保護(永続/パスワード)
  • 1セクタ10万回消去
  • 20年データ保持(標準)
  • 自動スリープ・待機モード
  • JEDEC CFI・コマンド互換

利点

  • 3.0 Vで電源設計が容易
  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なバスで設計自由度
  • 高速アクセスで性能向上
  • ページバッファで高速読出
  • 書込バッファで書込短縮
  • ECCでデータ保護
  • 多段階保護で安全性向上
  • 高耐久で保守コスト削減
  • 長期保持で重要データ保護
  • 省電力で電池寿命延長
  • JEDEC互換で統合容易

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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