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S29CD016J0MQFM030
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S29CD016J0MQFM030

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S29CD016J0MQFM030
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製品仕様情報

  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel Burst
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    66 / -
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    CD-J
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 初期アクセス時間
    54 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.5 V～2.75 V
  • 動作電圧
    2.5 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S29CD016J0MQFM030
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-MQFP-80
パッケージ名 PQFP-80 (002-25073)
梱包サイズ 132
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-MQFP-80
パッケージ名 PQFP-80 (002-25073)
梱包サイズ 132
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S29CD016J0MQFM030は16 Mbit、2.6 V専用のバーストモードフラッシュメモリで、自動車用途向けに設計され、2バンク同時のゼロレイテンシ読書きに対応します。32ビットデータバス、デュアルブートセクタ構成、高度なセクタ保護と柔軟な構造を備えます。動作電圧2.50 V～2.75 V（VCC）、1.65 V～2.75 V（VIO）、最大66 MHzのバーストリード、20年のデータ保持、各セクタ100万回の書き換え耐久性。JEDECコマンドセット対応、セキュアドシリコン領域搭載で過酷な環境下でも高信頼性を発揮します。

特長

  • ゼロレイテンシ同時読書/書込
  • 32ビットデータバス構成
  • プログラマブルバースト(2/4/8ダブルワード)
  • Versatile I/O制御(1.65 V～3.6 V)
  • 高度なセクタ保護：永続・動的・パスワード
  • ハードウェア書込保護ピン(WP#)
  • 低消費電力スタンバイ(60 µA)
  • 自動スリープモードで省電力
  • データポーリングとReady/Busy#出力
  • 20年データ保持(標準)
  • 100万回/セクタ書換(標準)
  • JEDEC(JC42.4)コマンド互換

利点

  • 高速なコード実行と更新を実現
  • データ集約用途で高スループット
  • 柔軟なバーストで性能最適化
  • 幅広いシステム電圧に対応
  • 多様な保護でデータ安全性向上
  • 誤消去・書込を防止
  • 待機時の消費電力を最小化
  • アイドル時に省エネ
  • 簡単な状態監視で信頼性向上
  • 長期データ信頼性を確保
  • 頻繁な書換にも高耐久
  • 標準コントローラと容易に統合

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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