S28HS512TGABHI010
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S28HS512TGABHI010

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在庫あり

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S28HS512TGABHI010
S28HS512TGABHI010
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Octal
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    200 / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S28HS512TGABHI010
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
S28HS512TGABHI010は、オクタル インターフェースを介してコードとデータを格納するための512 MbitのSEMPER™ NORフラッシュ メモリです。動作電圧は1.7 V~2.0 V、動作温度範囲は-40℃~85℃ (産業用) で、最大400 MByte/sの帯域幅で200 MHz SDRおよび200 MHz DDR転送をサポートします。データ整合性機能には、ハミングECC (SECDED) 、インターフェースCRC、および1024バイトのOTPセキュア シリコン領域が含まれます。24ボールBGA、260℃リフロー、RoHS指令準拠、ハロゲンフリー。

特長

  • 45nm MIRRORBIT™はセルあたり2ビットを保存
  • 均一またはハイブリッド セクター アーキテクチャ
  • 256バイトまたは512バイトのプログラム バッファ
  • 1024バイトOTPセキュア シリコン アレイ
  • オクタル8S-8S-8Sおよび8D-8D-8D
  • JEDEC JESD251 xSPI準拠
  • 読み出しキャプチャ用データ ストローブ (DS)
  • 16バイト単位のECC (SECDED)
  • SafeBootステータスが初期化フォールトを検出
  • AutoBootはリセット後にデータを出力
  • LBPおよびASPセクター保護
  • ハードウェアまたはソフトウェア リセットをサポート

利点

  • セル数を減らして高密度化
  • ブート コードおよびデータ レイアウトに適合
  • ページ プログラム トランザクションを高速化
  • IDとシークレットを安全に保存
  • 少ない信号ピンで高いスループットを実現
  • xSPIによりホスト側のサポートを簡素化
  • 高速動作時のタイミング マージンを改善
  • 保存されたコードのビット エラーを低減
  • 電源投入不良後の復旧を可能にします
  • 起動時間とホスト ファームウェアの手順を削減
  • 不正なコード変更を防止
  • 堅牢なシステム リセット設計を簡素化

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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