Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S28HS01GTGZBHV033

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S28HS01GTGZBHV033
S28HS01GTGZBHV033

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    1 GBit
  • NPSGに発行
    N
  • PSGに発行
    N
  • インターフェース
    Octal
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    166 / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S28HS01GTGZBHV033
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S28HS01GTGZBHV033は1 Gb SEMPER™ NORフラッシュメモリで、オクタルインターフェースを採用し、車載および産業用途に適しています。1.8 V動作、SDR(最大166 MBps)とDDR(最大200 MBps)対応、24ボールBGAパッケージ。Endurance Flexアーキテクチャにより、メインアレイで256万回のプログラム・消去サイクルと25年間のデータ保持を実現。ECCは1ビット訂正・2ビット検出、ISO26262 ASIL B準拠、AEC-Q100 Grade 2認証取得。セクタ保護、インターフェースCRC、SafeBoot、AutoBoot機能で過酷な環境下での信頼性を確保します。

機能

  • 45 nm MIRRORBIT™で2ビット/セル
  • 均一/ハイブリッドセクタ構造
  • 256/512バイト書込バッファ
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • オクタルIF、JEDEC JESD251準拠
  • SDR最大200MBps、DDR最大400MBps
  • DSで高速読出し簡易化
  • 機能安全ISO26262 ASIL B/D
  • Endurance Flex耐久均一化
  • IF/データ整合性CRC
  • 内蔵ECC:1ビット訂正2ビット検出
  • 伝統/高度セクタ保護

利点

  • 2ビット/セル高密度で省スペース
  • 柔軟なセクタ構成で多用途
  • 大容量バッファで効率向上
  • OTP領域で鍵等を安全保存
  • オクタルIFで高速転送
  • SDR/DDRで高性能機器対応
  • DSで高速設計容易
  • 機能安全で車載/産業用途対応
  • 耐久均一化で長寿命
  • CRCで信頼性向上
  • ECCでデータ安全性強化
  • 多層保護でデータ損失防止

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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