S27KL0641DABHA020

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S27KL0641DABHA020
S27KL0641DABHA020
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製品仕様情報

  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KL-1
  • リードボール仕上げ
    N/A
  • 初期アクセス時間
    40 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 技術
    HYPERRAM
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
S27KL0641DABHA020は64 Mb（8 MB）のHyperRAMセルフリフレッシュDRAMで、組込み/車載機器の外部メモリ拡張に使用します。8ビットDDRインターフェース（DQ[7:0]とRWDS）にCS#とCKを組み合わせて低信号本数で接続でき、シーケンシャルアクセスとラップ/リニアのバーストを選択可能です。2.7 V～3.6 VのVCC/VCCQで最大100 MHz（200 MBps）に対応し、AEC-Q100 Grade 3（-40°C～+85°C）、24ボールFBGAで提供されます。

特長

  • HyperRAM低信号数IF
  • 8ビットDDRデータDQ[7:0]
  • I/O信号11/12本
  • 1.8 Vで最大166 MHz
  • 3.0 Vで最大100 MHz
  • 最大333 MBps帯域
  • RWDSストローブ/マスク
  • ラップ16/32/64/128B
  • リニア/ハイブリッドバースト
  • ディープパワーダウンDPD
  • 電源1.7 V1.95 V
  • 電源2.7 V3.6 V

利点

  • 並列DRAMよりMCUピン削減
  • DDRでクロック当たり高スループット
  • 配線本数を減らし実装容易
  • 166 MHzで高速リード対応
  • 100 MHzで3.0 Vホスト適合
  • 333 MBpsで高品位HMIを実現
  • RWDSでタイミング容易+マスク
  • バーストでバス効率最適化
  • リニアはストリーミング向き
  • DPDで待機時の消費電力低減
  • 1.8 V電源許容で電源簡素化
  • 3.0 Vでレガシー電源に対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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