Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26KS512SDPBHA020

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S26KS512SDPBHA020
S26KS512SDPBHA020

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • インターフェース帯域幅
    333 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Automotive
OPN
S26KS512SDPBHA020
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 1690
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 1690
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S26KS512SDPBHA020は512 Mb(64 MB)のHYPERFLASH™ NORメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術と高速HYPERBUS™ DDRインターフェースを搭載。1.8 V、166 MHz動作時に最大333 MBpsの読み出し速度、256 KB均一セクタ、4 KBパラメータセクタ、ECC・CRC、高度なセクタ保護機能を備え、AEC-Q100 Grade 2(–40°C~+105°C)認定済み。自動車や産業用途の高速・高信頼ストレージに最適です。

特長

  • 3.0 V I/O、11本バス信号
  • 1.8 V I/O、12本バス信号
  • 最大333 MBps持続読出スループット
  • DDR:クロック毎に2回データ転送
  • 8ビットデータバス(DQ[7:0])
  • 96ns初期ランダムリードアクセス
  • 512バイトプログラムバッファ
  • ECC:1ビット訂正、2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域(1024バイトOTP)
  • 高度なセクタ保護方式
  • 低消費電力モード:スタンバイ25µA、深パワーダウン8µA

利点

  • 高スループットで高速データアクセス
  • DDRでシステム性能向上
  • 8ビットバスで統合が容易
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 大容量バッファで書込高速化
  • ECCでデータ信頼性確保
  • CRCでエラー迅速検出
  • セキュア領域で重要データ保護
  • 柔軟なセクタ保護で安全性向上
  • 低消費電力で電池長持ち

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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