S26KS512SDABHM030
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

S26KS512SDABHM030

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S26KS512SDABHM030
S26KS512SDABHM030
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-S
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.95 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S26KS512SDABHM030
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 1690
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 1690
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
S26KS512SDABHM030は512 Mb（64 MB）の車載グレードHYPERFLASH™ NORメモリで、高速HYPERBUS™ DDRインターフェースを採用し、1.8 V・166 MHz動作時に最大333 MBpsの読み出し速度を実現します。均一な256 KBセクタ、オプションの4 KBパラメータセクタ、高度なセクタ保護を備え、10万回のプログラム/消去、20年データ保持、–40°C～+125°C（AEC-Q100グレード1）動作、ECC・CRC・低消費電力モードを統合し、車載・産業用途に最適です。

特長

  • 8ビットデータバス
  • HYPERBUS™インターフェース
  • 最大333 MBps持続読出し
  • DDR：1クロック2回データ転送
  • 1.8 V時166 MHzクロック
  • 3.0 V時100 MHzクロック
  • 96 ns初期ランダムアクセス
  • 可変バースト長：16/32/64バイト
  • 低消費電力：待機25 µA、深パワーダウン8 µA
  • ECC：1ビット訂正2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域（1024バイトOTP）

利点

  • 高速データアクセスで高性能化
  • 柔軟なIFで多様な設計に対応
  • 高速DDRでスループット向上
  • 多様なバースト長で転送最適化
  • 低消費電力で電池長寿命
  • ECCでデータの完全性確保
  • CRCで伝送エラー検出
  • セキュア領域で認証実現
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 8ビットバスで統合容易
  • 出力ドライブ調整で信号最適化
  • 過酷環境でも信頼動作

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ