S26HS512TGABHM003
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S26HS512TGABHM003

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S26HS512TGABHM003
S26HS512TGABHM003

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S26HS512TGABHM003
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S26HS512TGABHM003は、HYPERBUS™インターフェースを使用する車載システム向けの512 Mbit SEMPER™ NORフラッシュ メモリです。動作電圧は1.7 V~2.0 V、動作温度範囲は-40℃~125℃で、200 MHzでのDDR転送に対応し、帯域幅は最大400 MByte/sです。ISO 26262に準拠した安全機能には、ECC (SECDED) 、インターフェースCRC、データ整合性CRC、および堅牢なコード/データ保存と高速ブートを実現するSafeBoot/AutoBootが含まれます。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
  • HYPERBUS™ DDR読み出し: 最大400 MBps
  • JEDEC JESD251 xSPI互換
  • 読み出しキャプチャ用データ ストローブ (DS)
  • デフォルト ブート: x1 SPIまたはx8 HYPERBUS
  • 256 KBの均一セクターまたはハイブリッド セクター
  • 256/512バイトのページ プログラム バッファ
  • 16バイト データ単位の組込みECC
  • SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
  • ECCレポート: INT#、カウンター、トラップ
  • 高度なセクター保護: DYB/PPB
  • パスワード ロック可能な不揮発性保護

利点

  • ダイ面積あたりの高密度化
  • 高速なインプレース実行 (XIP) 読み出し
  • JEDECベースのホスト設計を簡素化
  • 高速読み出し時のマージンを拡大
  • ホスト モード間で柔軟にブート
  • 用途に応じて消去粒度を最適化
  • 書き込み回数を減らしてプログラムを高速化
  • ビット反転の自動修正
  • ダブルビット故障の早期検出
  • ECC故障のログ記録とデバッグが容易
  • 誤消去/誤プログラムを防止
  • 保護設定を安全にロック

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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