S25HS02GTDPBHM050
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25HS02GTDPBHM050

データシート
パッケージ

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S25HS02GTDPBHM050
S25HS02GTDPBHM050
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    2 GBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S25HS02GTDPBHM050
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-24801)
梱包サイズ 260
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-24801)
梱包サイズ 260
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25HS02GTDPBHM050はHS-Tファミリーの2 Gbit SEMPER™ NORフラッシュで、-40℃～125℃の範囲で1.7 V～2.0 Vの電源電圧を使用します。クアッドSPIおよび車載用スピード グレードDP (133 MHz SDR / 66 MHz DDR) に対応し、最大66 MByte/sの帯域幅を実現します。ISO 26262準拠の安全機能として、SECDED ECC、アレイCRC、SafeBootに加え、セキュアなコード/データ保存と堅牢なECUブートのための高度なセクター保護を備えています。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
  • マルチチップ パッケージ: 2 × 1 Gbダイ
  • 均一またはハイブリッド セクター アーキテクチャ
  • 256バイトまたは512バイトのプログラム バッファ
  • 1024バイトOTPセキュア シリコン (SSR)
  • クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
  • クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
  • 16バイト単位のECC (ハミング符号)
  • 1ビットエラーを訂正し、2ビットエラーを検出
  • ECCステータス、トラップ アドレス、カウンター
  • Endurance Flexウェアレベリング領域
  • LBP + ASPセクター/ブロック保護

利点

  • 高密度化によりPCBの実装面積を縮小
  • 1つのBOMアイテムでより大容量を実現
  • 小容量パラメーターと大容量ストレージを両立
  • プログラム高速化により更新時間を短縮
  • キー/IDの複製を防止
  • 柔軟なホスト インターフェース互換性
  • 高速起動とコードのインプレース実行
  • ECCにより読み出しデータの信頼性が向上
  • 故障前に破損を検出
  • デバッグとフィールド診断を高速化
  • ウェアレベリングによりフラッシュメモリ寿命を延長
  • 誤消去や誤書き込みを防止
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ