S25FS512SFABHM210
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FS512SFABHM210

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S25FS512SFABHM210
S25FS512SFABHM210
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 102
  • インターフェース帯域幅
    102 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S25FS512SFABHM210
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
S25FS512SFABHM210は512 Mb（64 MB）のFS-S NORフラッシュメモリで、SPIマルチI/Oインターフェースと1.8 V動作に対応しています。最大102 MHzのDDRリード動作をサポートし、組み込みシステムで迅速なデータアクセスを実現します。典型動作電流は102 MHz時70 mA、待機電流25 μA、深度パワーダウン時8 μA。AEC-Q100認定の車載グレード構成もあり、高性能と信頼性を求める自動車、産業、ネットワーク用途のコードストレージに最適です。

特長

  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • 1.8 V単一電源
  • DDRリード最大102 MHz
  • 多様なリードプロトコル
  • 可変リードレイテンシサイクル
  • 動作時電流最大100 mA
  • 待機電流最大450 μA
  • ディープパワーダウン電流最大350 μA
  • CS# Highからパワーダウン最大3 μs
  • CS# Highからスタンバイ最大30 μs
  • 出力無効時間最大8 ns
  • IOスキュー最大400 ps

利点

  • 柔軟なSPIでシステム統合容易
  • 1.8 Vで低消費電力設計
  • 102 MHz DDRで高速転送
  • 多プロトコルで幅広い対応
  • 可変レイテンシで速度最適化
  • 低動作電流で省エネ
  • 超低待機電流で節電
  • ディープパワーダウンで漏れ低減
  • 高速パワーダウンで省エネ
  • 高速スタンバイ移行で節電
  • 高速出力無効でタイミング余裕
  • 小IOスキューで信号品質向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ