S25FS512SFABHB210
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

S25FS512SFABHB210

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S25FS512SFABHB210
S25FS512SFABHB210
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 102
  • インターフェース帯域幅
    102 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S25FS512SFABHB210
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
S25FS512SFABHB210は512 Mbit（64 MB）の車載グレードシリアルNORフラッシュで、65 nm MIRRORBIT™技術と1.8 V SPIマルチI/Oインターフェースを採用。最大102 MHz DDR動作に対応し、高速アクセスを実現。24ボールBGA（6 × 8 mm、1.00 mmピッチ）パッケージ、AEC-Q100 Grade 2（-40°C～+105°C）準拠。ディープパワーダウン時8 μA、最大動作時100 mAで、自動車や組み込みの高密度ストレージに最適。

特長

  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • 1.8 Vコア電源
  • DDRリード最大102 MHzクロック
  • シングル/デュアル/クワッド/QPI対応
  • 可変リードレイテンシサイクル
  • 102 MHz時最大動作電流100 mA
  • 最大スタンバイ電流450 μA
  • 最大ディープパワーダウン電流350 μA

利点

  • 柔軟なインターフェースで統合容易
  • 低電圧で消費電力削減
  • 102 MHz DDRで高速データ転送
  • 複数I/Oモードで設計自由度向上
  • 可変遅延で性能最適化
  • 100 mA動作で発熱抑制
  • 450 μA待機で電池長持ち
  • 350 μA省電力でエネルギー節約

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ