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S25FS512SFABHB210

EA.
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S25FS512SFABHB210
S25FS512SFABHB210
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 102
  • インターフェース帯域幅
    102 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.7 V ~ 2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S25FS512SFABHB210
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
S25FS512SFABHB210は512 Mbit(64 MB)の車載グレードシリアルNORフラッシュで、65 nm MIRRORBIT™技術と1.8 V SPIマルチI/Oインターフェースを採用。最大102 MHz DDR動作に対応し、高速アクセスを実現。24ボールBGA(6 × 8 mm、1.00 mmピッチ)パッケージ、AEC-Q100 Grade 2(-40°C~+105°C)準拠。ディープパワーダウン時8 μA、最大動作時100 mAで、自動車や組み込みの高密度ストレージに最適。

特長

  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • 1.8 Vコア電源
  • DDRリード最大102 MHzクロック
  • シングル/デュアル/クワッド/QPI対応
  • 可変リードレイテンシサイクル
  • 102 MHz時最大動作電流100 mA
  • 最大スタンバイ電流450 μA
  • 最大ディープパワーダウン電流350 μA

利点

  • 柔軟なインターフェースで統合容易
  • 低電圧で消費電力削減
  • 102 MHz DDRで高速データ転送
  • 複数I/Oモードで設計自由度向上
  • 可変遅延で性能最適化
  • 100 mA動作で発熱抑制
  • 450 μA待機で電池長持ち
  • 350 μA省電力でエネルギー節約

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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