Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS256TDAWEC119

256Mb SEMPER™ Nano 1.8V QSPI Flash in known good wafer format
データシート
ボード

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S25FS256TDAWEC119
S25FS256TDAWEC119
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    80 / -
  • インターフェース帯域幅
    40 MByte/s
  • ファミリー
    FS-T
  • 動作温度 (範囲)
    0 °C ～ 70 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.7 V ～ 2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Commercial
推奨
OPN
S25FS256TDAWEC119
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 WAFER UNSAWN
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER UNSAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FS256TDAWEC119はFS-Tファミリの256 Mbit NORフラッシュで、45 nm MIRRORBIT技術を採用しQuad SPIでアクセスします。1.7 V～2.0 V、0°C～70°Cで動作し、80 MHz SDR読出しで最大40 MByte/sの帯域をサポート。内蔵ECCがアレイ100%保護とエラー報告を提供し、RD/BY#とハードリセットで堅牢なブート/コード保存に対応します。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ 2bpc
  • 一律64 KB/128 KBセクタ
  • セクタ構成を設定可能
  • 256 B/512 B書込みバッファ
  • SPI 1-1-1+Quad 1-1-4
  • 最大104 MHzクロック動作
  • 16バイト単位のECC
  • 1ビット訂正/2ビット検出
  • EDUS/ECSVでECC状態
  • RD/BY#でReady/Busy表示
  • STR1にSafeBoot署名
  • CS#シグナル+RESET#

利点

  • 2bpcでビット当たり低コスト
  • セクタ選択で用途最適化
  • マップ設定で移行が容易
  • バッファでFW更新を高速化
  • Quad I/OでXIP読出し高速化
  • 104 MHzで高スループット
  • ECCで読出し信頼性を向上
  • ECC状態で切り分けを短縮
  • RD/BY#でポーリング負荷低減
  • SafeBootで障害から復旧
  • 複数リセットで堅牢性向上
  • SFDPで立上げを簡素化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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