Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FL512SDPMFVG11

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S25FL512SDPMFVG11
S25FL512SDPMFVG11
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S25FL512SDPMFVG11
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 235
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 235
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FL512SDPMFVG11はMIRRORBIT™技術とEclipse™アーキテクチャを採用した512 Mb SPIマルチI/O NORフラッシュメモリです。シングル、デュアル、クアッド、DDR SPIインターフェースに対応し、最大80 MBpsの高速読み出し。2.7 V～3.6 Vコア電源、1.65 V～3.6 V I/O電源、SOIC/BGAパッケージ、AEC-Q100自動車認証取得。10万回書き換え、20年データ保持、セクタ保護、OTPセキュリティを備え、組込みコードストレージや車載用途に最適です。

機能

  • CMOS 3.0 Vコアと多機能I/O
  • SPI多I/O・DDR対応
  • 32ビット拡張アドレス
  • 通常/高速/デュアル/クワッド/DDR読出
  • 512バイトページ書込バッファ
  • 自動ECC単一ビット訂正
  • 均一256KBセクタ
  • 10万回書換耐久性
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • セクタ・高度保護機能
  • VCC:2.7-3.6 V,VIO:1.65 V～VCC+0.2 V

利点

  • 柔軟な3.0 V設計が容易
  • 高速SPIで迅速なデータ取得
  • 大容量アドレスで大規模対応
  • 多様な読出モードで性能最適化
  • 高速書込で生産性向上
  • ECCで信頼性の高い保存
  • 均一セクタで消去簡単
  • 高耐久性で保守コスト低減
  • 長期保存でデータ安全
  • OTPでシステム強化
  • 保護機能でデータ損失防止
  • 広電圧で多用途対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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