Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FL256SAGMFIG01

EA.
在庫あり

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S25FL256SAGMFIG01
S25FL256SAGMFIG01
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25FL256SAGMFIG01
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 705
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 705
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S25FL256SAGMFIG01は256 Mb(32 MB)のSPI NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用し、高性能と信頼性を実現します。SPIマルチI/O(シングル、デュアル、クアッド、DDRモード)に対応し、最大80 MBpsの読み出し速度を提供。コア電圧2.7 V~3.6 V、I/O電圧1.65 V~3.6 V、高度なセキュリティ機能、10万回の書き換え、20年のデータ保持を特長とし、AEC-Q100 Grade 1自動車規格に準拠。

機能

  • MIRRORBIT™技術で1セル2ビット保存
  • Eclipseアーキ高速書込/消去
  • SPIマルチI/O:x1/x2/x4対応
  • SDR/DDR読出最大80 MBps
  • 256B/512Bページ書込バッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTP領域
  • 高度なセクタ/ブロック保護
  • コア2.7-3.6 V、I/O 1.65-3.6 V
  • 動作温度–40°C~+125°C

利点

  • 大容量で信頼性高いデータ保存
  • 高速書込/消去で性能向上
  • 柔軟I/Oで幅広い互換性
  • 高速読出でXIPに最適
  • 効率的な書込バッファで高速化
  • 多様な消去で旧設計移行容易
  • 長寿命で保守負担軽減
  • 長期データ保持で信頼性
  • OTP領域でセキュリティ向上
  • 強力な保護でデータ損失防止
  • 広電圧範囲で多様な機器対応
  • 広温度範囲で過酷環境対応

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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