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JANSR2N7468U2S

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JANSR2N7468U2S
JANSR2N7468U2S
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    165 nC
  • QPL型番
    2N7468U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    5.6 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 on carrier
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 on carrier
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The N-channel MOSFET JANSR2N7468U2S is a radiation-hardened device in a SMD-2 package, rated at 60V and 75A. This QPL-qualified offers electrical performance up to 100krad(Si) TID and uses IR HiRel R5 technology for high performance power MOSFETs in space applications. It has low RDS(on) and gate charge for reduced power losses and MOSFET advantages such as voltage control and fast switching.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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