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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

ISP25DP06NM

生産終了
P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
代替品

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ISP25DP06NM
ISP25DP06NM
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -1.9 A
  • IDpuls max
    -7.6 A
  • Ptot max
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -10.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    250 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • 予算価格€/ 1k
    0.13
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    P
  • 特別な機能
    Small Power
OPN
ISP25DP06NMXTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 60 V in SOT-223 package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

機能

  • VDS = -60V
  • Wide RDS(on) range
  • Logic level availability

利点

  • Easy interface to MCU
  • Enhanced efficiency at low loads
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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