新規
Active and preferred
RoHS準拠

ISC033N10NM8

新規
OptiMOS™ 8パワーMOSFET 100 VノーマルレベルSuperSO8パッケージ
データシート
パッケージ
ボード

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ISC033N10NM8
ISC033N10NM8
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    150 A
  • IDpuls (最大)
    600 A
  • Ptot (最大)
    179 W
  • QG (typ @10V)
    59 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.43 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.4 V ～ 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC033N10NM8ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

特長

  • 非常に低いオン抵抗RDS(on)
  • 高いID電流定格
  • ばらつきの少ないVGS(th)
  • 穏やかなボディ ダイオード回復と低Qrr
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 鉛フリーの端子メッキ、RoHS指令に準拠
  • IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
  • J-STD-020の吸湿耐性水準 (MSL) 1適合
  • Nチャネル、ノーマルレベル

利点

  • 価格性能比に優れた技術
  • 最小レベルの伝導損失
  • 優れた電流共有
  • 優れたスイッチング性能を持つソフトボディダイオード
  • 使いやすさ

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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