Active and preferred
RoHS準拠

ISC012N04LM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V Logic Level in a SuperSO8 package
データシート
パッケージ

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ISC012N04LM6
ISC012N04LM6
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    238 A
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • QG (typ @4.5V)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.7 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.57
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC012N04LM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The ISC012N04LM6 OptiMOS™ 6 40V in logic level is setting new technology standards in discrete power MOSFETs. Compared to alternative products, Infineon’s leading thin wafer technology is enabling significant performance benefits, optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits.

機能

  • Logic level gate drive capability
  • Low on-resistance RDS(on)
  • 175°C junction temperature rating
  • 100% Avalanche tested
  • Halogen-free according to IEC61249-2-21
  • Optimized for synchronous application

利点

  • Gate drive flexibility
  • Highest system efficiency
  • Increased operating margin
  • Robust, reliable performance
  • Environmentally friendly
  • Increased power density, low overshoot

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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