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IRL520N
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IRL520N

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100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
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IRL520N
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    10 A
  • Ptot (最大)
    48 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    13.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    180 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.1 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V～2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.33
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRL520NPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pin-out allows for drop-in replacement
  • High current capability

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ