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IRL100HS121

New logic level MOSFETs for low VGS
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRL100HS121
IRL100HS121
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    11 A
  • IDpuls max
    41 A
  • Ptot max
    11.5 W
  • Qgd
    1.6 nC
  • QG (typ @4.5V)
    3.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    42 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    59 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    59 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    13 K/W
  • Rth
    13 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 予算価格€/ 1k
    0.22
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRL100HS121
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Available in three different voltage classes (60V, 80V and 100V), Infineon’s new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging , telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving.

機能

  • FOM(RDS(on)xQg/gd)
  • Optimized Q g,Coss
  • Logic level compatibility
  • Tiny PQFN 2 x 2 mm package

利点

  • Smallest package footprint
  • Higher power density designs
  • Higher switching frequency
  • Reduced parts count with 5V supply
  • Driven directly from microcontrollers
  • System cost reduction

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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