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IRHNJ9230

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IRHNJ9230
IRHNJ9230
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    -4.1 A
  • ID (@25°C) max
    -6.5 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    800 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNJ9230 is a R4, rad hard, -200V, -6.5A, single, P-channel MOSFET in a SMD-0.5 package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers, while retaining the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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