IRHNJ67134SCS

データシート

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IRHNJ67134SCS
IRHNJ67134SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7589U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    88 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET in SMD-0.5 package is perfect for space applications. With very low RDS(on), faster switching times, and improved immunity to SEE, IRHNJ67134SCS MOSFETs offer high performance and power density, making them ideal for high-speed switching applications. This single N-channel R6 MOSFET can handle up to 150V and 19A.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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