IRHMB6S7160SCS

データシート

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IRHMB6S7160SCS
IRHMB6S7160SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This rad hard N-channel MOSFET features R6 technology with 100V, 45A rating. It comes in a TO-254AA tabless low ohmic package with electrical performance up to 100krad(Si) TID, QIRL classification. The device has low RDS(on), low gate charge, voltage control, fast switching, and temperature stability, making it ideal for motor control and DC-DC converters. SEE performance up to LET of 60 MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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