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IRFSL3306
生産終了
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IRFSL3306

生産終了
60V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-262 package
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IRFSL3306
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    160 A
  • Ptot (最大)
    230 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    85 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.2 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.65 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 予算価格€/ 1k
    0.75
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFSL3306PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,TW
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,TW
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current rating

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High current carrying capability

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ