IRFS38N20D
アクティブ
RoHS対応

IRFS38N20D

データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

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IRFS38N20D
IRFS38N20D
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    43 A
  • Ptot (最大)
    320 W
  • Qgd
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    54 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.47 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    1.02
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

推奨
OPN
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DPBF
製品ステータス active obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
D2PAK
パッケージ名 D2PAK D2PAK
梱包サイズ 800 1000
梱包形態 TAPE & REEL LEFT TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1 N/A
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
CN,MX
-
ウェハ製造国
CN,US
-
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
CN,US
個.
在庫あり

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国 -
ウェハ製造国 -

利点

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ