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RoHS準拠

IRFR15N20D

200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRFR15N20D
IRFR15N20D
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    17 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    165 mΩ
  • RthJC max
    1.04 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.47
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DPBF
製品ステータス active obsolete
インフィニオンパッケージ
DPAK
DPAK
パッケージ名 DPAK DPAK
包装サイズ 2000 3000
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 1 1
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard surface-mount power
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High current carrying capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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