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生産終了
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RoHS準拠

IRFR13N20D

生産終了
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
データシート
パッケージ

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IRFR13N20D
IRFR13N20D
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    13 A
  • Ptot max
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (typ @10V) max
    235 mΩ
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DPBF
製品ステータス discontinued obsolete
インフィニオンパッケージ
DPAK
DPAK
パッケージ名 DPAK DPAK
包装サイズ 2000 3000
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 1 N/A
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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