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IRFR13N20D
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRFR13N20D

生産終了
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
データシート
パッケージ

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IRFR13N20D
IRFR13N20D
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    13 A
  • Ptot (最大)
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (typ @10V) (最大)
    235 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.4 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DPBF
製品ステータス discontinued obsolete
インフィニオン パッケージ
DPAK
DPAK
パッケージ名 DPAK DPAK
梱包サイズ 2000 3000
梱包形態 TAPE & REEL TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1 N/A
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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