新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRFP4768

250V Single N-Channel IR MOSFET™ Power MOSFET in a TO-247 package
データシート
パッケージ

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IRFP4768
IRFP4768
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    93 A
  • Ptot max
    520 W
  • Qgd
    72 nC
  • QG (typ @10V)
    180 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    17.5 mΩ
  • RthJC max
    0.29 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    250 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    2
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFP4768PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current rating

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High power density

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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