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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IRFI4227

生産終了
200V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
データシート
パッケージ

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IRFI4227
IRFI4227
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    26 A
  • Ptot max
    18 W
  • Qgd
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    73 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    25 mΩ
  • RthJC max
    0.45 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    30 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.33
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFI4227PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for switching <100kHz
  • Isolated package

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • No need for insulating hardware

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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