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IRFI4227
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRFI4227

生産終了
200V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
データシート
パッケージ

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IRFI4227
IRFI4227
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    26 A
  • Ptot (最大)
    18 W
  • Qgd
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    73 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    25 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.45 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.33
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFI4227PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for switching <100kHz
  • Isolated package

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • No need for insulating hardware

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ