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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IRFI4020H-117P

生産終了
200V Dual N-Channel Digital Audio StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
データシート
パッケージ

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IRFI4020H-117P
IRFI4020H-117P
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    9.1 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    21 W
  • Qgd (typ)
    5.8 nC
  • QG (typ @10V)
    19 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3.95 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.2
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N+N
OPN
IRFI4020H-117PXKMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Integrated Half Bridge package
  • Low Qrr
Low Qg and Qsw
  • Isolated package

    • 利点

    • Environmentally friendly
    • High power density
    • Integrated design
    • Board savings
    • Low EMI
    • Enables better THD and high efficiency
    • No need for insulating hardware

    用途

    ドキュメント

    ドキュメント

    デザイン リソース

    パートナー ソリューション

    開発者コミュニティ

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