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IRFI4020H-117P
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRFI4020H-117P

生産終了
200V Dual N-Channel Digital Audio StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
データシート
パッケージ

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IRFI4020H-117P
IRFI4020H-117P
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    9.1 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    21 W
  • Qgd (typ)
    5.8 nC
  • QG (typ @10V)
    19 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    100 mΩ
  • RthJA (最大)
    65 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.9 V
  • VGS(th)
    3.95 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.2
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N+N
OPN
IRFI4020H-117PXKMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Integrated Half Bridge package
  • Low Qrr
Low Qg and Qsw
  • Isolated package

利点

  • Environmentally friendly
  • High power density
  • Integrated design
  • Board savings
  • Low EMI
  • Enables better THD and high efficiency
  • No need for insulating hardware

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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