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代替品
終息
生産中止
RoHS準拠
鉛フリー

IRFI4019H-117P

終息
150V Dual N-Channel Digital Audio StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
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IRFI4019H-117P
IRFI4019H-117P
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    8.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    18 W
  • Qgd (typ)
    3.9 nC
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    95 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.95 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    TO-220 FullPAK
  • Budgetary Price €/1k
    0.96
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N+N
OPN
IRFI4019H-117P IRFI4019H-117PXKMA1
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオンパッケージ
FULLPAK220
TO220
パッケージ名 TO-220 FullPAK FullPAK-220
包装サイズ 1000 1000
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル N/A NA
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Integrated Half Bridge package
  • Low Qrr
Low Qg and Qsw
  • Isolated package

    • 利点

    • Environmentally friendly
    • High power density
    • Integrated design
    • Board savings
    • Low EMI
    • Enables better THD and high efficiency
    • No need for insulating hardware

    用途

    ドキュメント

    ドキュメント

    デザイン リソース

    パートナー ソリューション

    開発者コミュニティ

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