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IRFI1310N
生産終了
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鉛フリー

IRFI1310N

生産終了
100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
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IRFI1310N
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    24 A
  • Ptot (最大)
    45 W
  • Qgd
    38.7 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    36 mΩ
  • RthJC (最大)
    2.7 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.63
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFI1310NPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
CN,TW
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
CN,TW
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Isolated package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • No need for insulating hardware

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ