IPA083N10N5
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IPA083N10N5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 FullPAK package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPA083N10N5
IPA083N10N5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    2100 pF
  • Coss
    337 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    44 A
  • IDpuls (最大)
    176 A
  • Ptot (最大)
    36 W
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.3 mΩ
  • RthJC (最大)
    4.1 K/W
  • Rth
    4.1 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.7
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPA083N10N5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • 44% reduction in output capacitance
  • 43% RDS(on) reduction from previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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