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終息
生産中止
RoHS準拠

IRFH8307

終息
30V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package
データシート

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IRFH8307
IRFH8307
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    100 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Ptot max
    156 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @4.5V)
    50 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.1 mΩ
  • RthJC max
    0.8 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Mounting
    SMD
  • Polarity
    N
OPN
IRFH8307TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Industry standard surface-mount power package
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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