IRFH5250
新規設計非推奨
RoHS対応

IRFH5250

25V Single N-Channel Power MOSFET in a PQFN 5x6 package
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IRFH5250
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.6 W
  • Qgd
    17 nC
  • QG (typ @4.5V)
    52 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.75 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.15 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.59
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRFH5250TRPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
GB,MY
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
GB,MY
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard surface-mount package
  • Silicon optimized for switching <100kHz

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout, drop-in replace
  • High performance, low-frequency

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ